多晶硅（矿块）

单晶拉制（CZ法）

在CZ法中，将加热器、石墨坩埚、石英坩埚、多晶硅设置在拉制装置内，并在惰性气氛的减压条件下加热熔融。随后，将种晶体接触熔融硅并逐渐拉制，从而生长出单晶。

单晶硅锭

用于直径300mm晶圆的单晶硅锭，其长度可达到2米，重量可能超过300公斤，非常巨大。

外周研磨加工

为了达到指定的直径，对单晶硅锭的外周进行研磨加工。外周的部分区域会加工出表示晶体方位的槽（刻槽）或平面（晶向平面：Orientation Flat，简称Oriflat）。随后，在进行切片加工之前，将硅锭切割至指定的长度。

切片加工

通过线锯方式或内周刀方式对硅锭进行切割，将其加工成晶圆形状。

倒角加工（外周倒角）

为了防止晶圆在制造过程中出现崩边或裂纹，使用金刚石砂轮对晶圆的边缘进行圆弧状研磨，进行倒角处理。

研磨加工（双面机械研磨）

在旋转的上下研磨盘之间，将装有晶圆的载体进行旋转，同时供应磨料，对晶圆的两面进行研磨处理。

蚀刻加工（双面化学研磨）

将装有晶圆的夹具置于混合酸的蚀刻液中，通过旋转夹具进行蚀刻，彻底去除前工序机械加工所导致的破坏层。

晶圆氧化处理

通过扩散炉进行热处理，分解在晶体生长过程中生成的由氧引起的不稳定供体（n型杂质），使材料恢复至原本的电阻率。

抛光加工（单面镜面研磨）

将贴有研磨布的旋转定盘与粘附晶圆的载板相接触，并在供应研磨材料的同时，通过机械与化学的复合作用进行研磨，直至达到镜面效果。

清洗

使用化学试剂和超纯水对晶圆进行清洗，从化学和物理层面使其达到洁净状态。

检测

利用高亮度聚光灯照射晶圆表面进行外观检测，并使用专用检测设备检查平坦度、比电阻以及表面附着的微小颗粒数量等。

包装

将晶圆装入洁净的运输专用盒中，并进一步封入防止湿气等外界影响的特殊袋中。

出货

晶圆被装入能够吸收冲击、避免因轻微碰撞而损坏的出货专用箱中进行运输。